ការបកស្រទាប់ខ្សែភាពយន្តឡាស៊ែរ

២០២៥-១២-១០

ខ្សែភ្លើងអេណាមែល PI ដែលឆ្កឹះដោយឡាស៊ែរ

ការបកស្រទាប់ និងដកស្រទាប់ឡាស៊ែរ Femtosecond

ការបកស្រទាប់ឡាស៊ែរ Femtosecond គឺជាដំណើរការដែលមានភាពជាក់លាក់ និងមិនប៉ះពាល់ ដែលលុបបំបាត់ហានិភ័យដែលទាក់ទងនឹងការបកស្រទាប់មេកានិចបែបប្រពៃណី ដូចជាការខូចខាតស្រទាប់ខាងក្រោមជាដើម។ តាមរយៈការប្រើប្រាស់ចំណុចឡាស៊ែរដែលផ្តោតយ៉ាងតឹងរ៉ឹង វាលុបថ្នាំកូតផ្សេងៗចេញជាជម្រើស រួមទាំងស្រទាប់អ៊ីសូឡង់ប៉ូលីមែរ និងស្រទាប់អុកស៊ីដ ខណៈពេលដែលទុកសម្ភារៈមូលដ្ឋានឱ្យនៅដដែល។ បច្ចេកវិទ្យានេះគឺចាំបាច់សម្រាប់គ្រឿងអេឡិចត្រូនិច ស៊ីមីកុងដុកទ័រ ឧបករណ៍វេជ្ជសាស្ត្រ និងការផលិតដែលមានភាពជាក់លាក់។

គុណសម្បត្តិបច្ចេកទេស

មិនប៉ះពាល់ និងមិនបង្កគ្រោះថ្នាក់៖ លុបបំបាត់ការពាក់មេកានិច និងការបំពុលគីមី ដោយធានាបាននូវភាពសុចរិតនៃស្រទាប់ខាងក្រោមដែលផុយស្រួយ។

ភាពជាក់លាក់កម្រិតមីក្រូន៖ សម្រេចបាននូវការដកយកចេញដោយគ្មានការខូចខាត ជាមួយនឹងភាពជាក់លាក់នៃការឆ្លាក់ ≤±1 μm និងការគ្រប់គ្រងជម្រៅរហូតដល់ ≤0.1 μm។

ភាពឆបគ្នាចម្រុះ៖ សម្របខ្លួនទៅនឹងរូបរាងធរណីមាត្រស្មុគស្មាញ (ផ្ទៃរាបស្មើ រាងបំពង់ និងកោង) និងដំណើរការសម្ភារៈជាច្រើនប្រភេទ រួមទាំងលោហធាតុ ប៉ូលីមែរ សេរ៉ាមិច និងកញ្ចក់។

មានប្រសិទ្ធភាព និងអាចធ្វើមាត្រដ្ឋានបាន៖ មានស្ថេរភាពខ្ពស់ និងអាចធ្វើម្តងទៀតបាន ដែលធ្វើឱ្យវាល្អសម្រាប់ទាំងការបង្កើតគំរូដើម R&D និងការផលិតទ្រង់ទ្រាយធំក្នុងបរិមាណច្រើន។

ការដកយកខ្សែភាពយន្តរាបស្មើ (ផ្ទៃរាបស្មើ)

ការបកថ្នាំកូតចេញពីស្រទាប់ខាងក្រោមរាបស្មើយ៉ាងច្បាស់លាស់ ដ៏ល្អសម្រាប់គ្រឿងបន្លាស់អេឡិចត្រូនិច និងឧបករណ៍អុបទិកដែលមានភាពជាក់លាក់ខ្ពស់។

ទាក់ទងមកយើងខ្ញុំ

គម្លាតបន្ទាត់អប្បបរមា 3μm

យកថ្នាំកូតមាសក្រាស់ 1μm ចេញលើកញ្ចក់ក្វាតស៍

យកថ្នាំកូតមាសចេញលើកញ្ចក់រ៉ែថ្មខៀវ

០១០២០៣

ខ្សែភ្លើងអេណាមែល PI ដែលឆ្កឹះដោយឡាស៊ែរ

ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា CGM វេជ្ជសាស្ត្រ យកថ្នាំកូតប៉ូលីអ៊ីមីតចេញលើផ្លាទីន-អ៊ីរីដ្យូម (PtIr)

០១០២

ការដកថ្នាំកូតបំពង់

ការបកស្រទាប់ដែលគ្រប់គ្រងជម្រៅពិសេសសម្រាប់ឧបករណ៍បំពង់ ជាពិសេសក្នុងកម្មវិធីវេជ្ជសាស្ត្រ និងអេឡិចត្រូនិក។ ដំណើរការនេះយកថ្នាំកូតចេញបានយ៉ាងត្រឹមត្រូវតាមលក្ខណៈបច្ចេកទេសដែលបានកំណត់ ដោយស្ទើរតែគ្មានផលប៉ះពាល់កម្ដៅលើស្រទាប់ខាងក្រោមឡើយ។

ទាក់ទងមកយើងខ្ញុំ

ផ្ទៃ 3D កោង និងស្មុគស្មាញ

យកឈ្នះលើបញ្ហាប្រឈមនៃការដេរនៅនឹងកន្លែងនៃដំណើរការប្រពៃណី ដោយអនុញ្ញាតឱ្យមានដំណើរការរលូននៃផ្ទៃកោង។ ជាមួយនឹងភាពជាក់លាក់នៃការដេរ ≤±1 μm វាកាត់បន្ថយផលប៉ះពាល់នៃថ្នេរដើម្បីធានាបាននូវភាពសុចរិតនៃមុខងារ និងដំណើរការអគ្គិសនីនៃមីក្រូរចនាសម្ព័ន្ធ។